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BATOP不僅提供單帶隙天線(xiàn)，還包括整合了微透鏡陣列的高能長(cháng)狹縫交叉指型光電導天線(xiàn)。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
? 高太赫茲輸出功率（最高可至280uW）
? 大面積發(fā)射/探測
? 高的轉換效率~ 10-4（100μW THz / 1 W optical power）
（200uW THz / 3 W optical power）
? 譜寬 0.1 – 4 THz
? 封裝有超半球Si透鏡和SiO2透鏡陣列
產(chǎn)品參數
型號 IPCA 21-05-300-800-h IPCA 21-05-1000-800-h IPCA 21-05-3000-800-h 激發(fā)功率 300-500 mW 0.5-3 W 3-10 W 轉換效率 2 μW THz / 100 mW optical power 100 μW THz / 1 W optical power 太赫茲平均功率 10 μW @ 500 mW laser power 200 μW @ 3 W laser power 弛豫時(shí)間 200 fs 200 fs 200 fs 暗電阻 40 KΩ 40 KΩ 偏置電壓 ±10V 至±15V ±10V 至±15V 15-25 V 激發(fā)區域 300um×300um 1mm×1mm 3mm×3mm 激發(fā)波長(cháng) 800nm
IPCA 21-05-300-800-h
交叉指型光電導天線(xiàn)的電極被極大的延長(cháng)，通過(guò)微透鏡陣列幾乎每個(gè)電極間隙都被飛秒激光聚焦激發(fā)。微透鏡陣列的占空比為73.5%，這可以確保幾乎所有的入射光能量都用來(lái)激發(fā)載流子的產(chǎn)生。盡管如此大的面積需要偏置電壓，但是交叉指型微透鏡陣列光電導天線(xiàn)需要的偏置電壓可低至~15V，因為電極間距只有5um。相干激發(fā)每個(gè)電極后，每個(gè)微透鏡聚焦點(diǎn)輻射出的太赫茲在遠場(chǎng)干涉疊加，發(fā)射出強太赫茲輻射。激光束必須準確的調準照射在每個(gè)電極中間才能使得交叉指型微透鏡陣列天線(xiàn)激發(fā)出最優(yōu)化的THz信號。
iPCA 芯片尺寸 4 mm x 4 mm,厚度 625μm, 封裝在一個(gè)25.4mm直徑的鋁制夾具上。背面封裝有12mm直徑的高阻硅半球透鏡，天線(xiàn)正面封裝著(zhù)預校準的石英微透鏡陣列，尺寸2×2mm。天線(xiàn)帶有1m長(cháng)的同軸電纜BNC或SMA接頭類(lèi)型可選。
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