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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03,熔點(diǎn)(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體,隨著(zhù)溫度的降低,GaSe光電效應最大值向短波方向移動(dòng)。硒化鎵作為一種非線(xiàn)性晶體和光電導體,通常被應用于這些方面:如CO2激光器的二次諧波的產(chǎn)生,CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見(jiàn)光,中紅外波段的光學(xué)混頻,以及5.5um-18.0um中紅外波段的不同頻率的產(chǎn)生。同時(shí)GaSe晶體也可以被用來(lái)產(chǎn)生太赫茲輻射。
GaSe(硒化鎵晶體)的太赫茲振蕩能達到非常寬的頻域,至41THz。GaSe硒化鉀晶體是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe硒化鉀晶體抗損傷閾值高,非線(xiàn)性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過(guò)對GaSe硒化鉀晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe硒化鉀晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。
GaSe 硒化鉀晶體參數
GaSe 硒化鉀晶體透射譜
GaSe硒化鉀晶體產(chǎn)品
Diameter/Width 5-30 mm (can be elliptical) Thickness/Length 0.1-40 mm Orientation X, Y, Z Surface quality Cleaved
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