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磷化鎵晶體是一種人工合成的化合物半導體材料。外觀(guān):橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體材料。磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型,晶格常數5.447±0.06埃,化學(xué)鍵是以共價(jià)鍵為主的混合鍵,其離子鍵成分約為20%,300K時(shí)能隙為2.26eV,屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如GaAS、 InP)相同,可通過(guò)引入深中心使費米能級接近帶隙中部,如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。
(110)晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測晶體,其橫光學(xué)支聲子線(xiàn)在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。
中文名:磷化鎵
外文名:Gallium phosphide
分子式:GaP
分子量:100.6968
實(shí)驗結果圖為40fs鈦藍寶石激光泵浦寬譜光電導天線(xiàn),400um厚GaP晶體探測的結果
GaP磷化鎵晶體型號列表
晶向
GaP磷化鎵晶體
<110>-cut
厚度100um的 [110]切向GaP晶體,
光學(xué)貼合在厚度3mm的 [100] 切向GaP磷化鎵晶體襯底上
厚度300um的 [110]切向GaP晶體,
(a)其他規格要求可以定制
(b)GaP磷化鎵晶體可以安裝在外徑25.4mm的晶體安裝環(huán)中
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