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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
除了人造金剛石,高阻抗的本征硅(高阻硅)材料是適合極寬范圍從(1.2 μm) 到mm (1000 μm甚至8000 μm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比,它要便宜的多,并且生長(cháng)制造更容易。而且他尺寸更大,更容易制造,THz技術(shù)的快速發(fā)展,就基于該優(yōu)點(diǎn)。對于THz應用,我們提供在1000 μm (對于更長(cháng)波長(cháng),3000甚至8000微米)透過(guò)率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)高阻抗本征硅材料和相關(guān)光學(xué)元件。
合成電解質(zhì)硅的介電常數由傳導率決定(例如:自由電子-載流子濃度)。圖3顯示的是在1THz下,不同純度下的硅的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實(shí)值,大約等于高頻介電常數。隨著(zhù)摻雜濃度的提高,真實(shí)的介電常數將變成負數,而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數可以用下面的公式計算:tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(8.85*10-12 F/m)。ε0 –硅的介電常數(11.67), R是電阻值。例如,1THz下,10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數為1.54*10-5。
1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時(shí)域光譜儀測試數據
高阻抗本征硅產(chǎn)品
- 高阻抗硅襯底/基片/窗片
- 高阻抗硅球透鏡
- 高阻抗硅分束鏡
- 高阻抗硅鏡頭
1,高阻硅基片 2,高阻硅F-P標準具
3,高阻硅太赫茲半球透鏡 4,高阻硅太赫茲子彈型透鏡
5,高阻硅鏡頭 6,高阻硅棱鏡
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